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Circuito Integrado / Monitor de Baterías / 128 Bytes NVRAM / Interfaz HDQ / SOIC-8 / 2.8V a 5.5V
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Características
- Monitoreo preciso de estado de carga con memoria NVRAM persistente
- Interfaz digital de una sola línea HDQ simplifica conexión al host
- Sensor de temperatura interno con exactitud de ±2°C a 25°C
- Bajo consumo en espera con latencia de 10 segundos configurable
- Rango de medición de ±200 mV con resolución de 12.5 µV/hora
- Encapsulado SOIC-8 compacto para integración en espacios reducidos
Fichas técnicas
Descripción
Circuito integrado especializado para monitoreo de estado de carga (SOC) en baterías recargables. Integra memoria NVRAM de 128 bytes para retención de datos sin alimentación externa, interfaz digital HDQ de una sola línea para comunicación simplificada con el host, y sensor de temperatura interno con precisión de ±2°C. Diseñado para sistemas de gestión de energía, dispositivos portátiles, instrumentación de precisión y sistemas de respaldo. Operación en rango de voltaje de 2.8V a 5.5V con bajo consumo en modo de espera. Encapsulado SOIC-8 de montaje superficial para integración compacta en diseños con restricciones de espacio.
Desempeño Eléctrico
- •Voltaje de operación: 2.8V a 5.5V
- •Resistencia de sensado: 0.015Ω típico
- •Rango de medición: ±200 mV
- •Resolución: 12.5 µV/hora
- •Velocidad de conteo SCR: 1 cuenta/hora a 25°C
- •Bajo consumo en modo espera con latencia de 10s
Especificaciones Físicas y Ambientales
- •Encapsulado: SOIC-8
- •Memoria NVRAM: 1024 bits (128 x 8)
- •Temperatura de operación: -40°C a +85°C
- •Exactitud sensor de temperatura: ±2°C a 25°C
- •Interfaz: Digital de una sola línea HDQ
Conexiones de Pin
- •REG: Salida del regulador
- •VCC: Alimentación
- •VSS: Tierra
Aplicaciones Típicas
- •Monitoreo de baterías recargables
- •Sistemas de gestión de energía
- •Dispositivos portátiles
- •Instrumentación de precisión
- •Sistemas de respaldo energético
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