🔍 Pasa el cursor para acercarDiodo de Silicio de Recuperación Estándar / VRMS 70V / IF 35A / VF 1.2V / DO-5 / -55 a +150°C
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Diodo Rectificador Schottky / 3A / 40V PIV / SMD DPAK / Ánodo Dual$80⚡ inmediato
Diodo de Conmutación / 300 mA / 75 V / 0.5 W / 4.0 ns / DO-35$12⚡ inmediato
Diodo TVS de Protección / 1500 W / 15 V / Unidireccional / ESD y Sobretensiones / 175 °C$41⚡ inmediato
Diodo Schottky / 40V / 3A / SMD / TO-252$21⚡ inmediato
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- Alta capacidad de sobrecarga de 595 A
- No sensitivo a descargas electrostáticas ESD
- Resistencia térmica de 0.25°C/W junto a carcaza
- Voltaje repetitivo de pico inverso de 100 V
- Corriente inversa de solo 10 μA a 25°C
- Encapsulado DO-5 con cátodo en base
Fichas técnicas
En contexto
Está por debajo del precio típico de su categoría: 53% de los 1,156 productos de Radiocomunicación con existencia cuesta más que este.
- Precio de este producto
- $413
- Típico en Radiocomunicación
- $489
- La mayoría cuesta entre
- $39 – $8,539
Comparado contra los 1,156 productos de Radiocomunicación que hoy tienen existencia y precio publicado en Zolven. Precios con IVA incluido; se actualizan con el catálogo.
Descripción
Diodo de silicio de recuperación estándar diseñado para aplicaciones de potencia en fuentes de alimentación y sistemas de energía. Ofrece una corriente directa continua de 35 A con un voltaje directo de 1.2 V, optimizando la eficiencia en conversión de potencia. Su encapsulado DO-5 con cátodo en la base facilita la identificación y montaje correcto en circuitos de alta corriente. Opera en un rango térmico extendido de -55°C a +150°C, garantizando confiabilidad en condiciones ambientales exigentes.
Características Principales
- Alta capacidad de sobrecarga de 595 A (t = 8.3 ms, media onda sinusoidal)
- No sensitivo a descargas electrostáticas (ESD)
- Resistencia térmica de 0.25°C/W (junto a carcaza)
- Voltaje repetitivo de pico inverso de 100 V
- Corriente inversa de 10 μA (VR = 50 V, TJ = 25°C)
- Encapsulado DO-5 (DO-203AB) con cátodo en base
Especificaciones Técnicas
Eléctricas
Voltaje repetitivo de pico inverso: 100 V
Voltaje inverso RMS: 70 V
Voltaje de bloqueo DC: 100 V
Corriente directa continua: 35 A
Corriente de sobrecarga: 595 A (t = 8.3 ms, media onda sinusoidal)
Voltaje directo: 1.2 V (IF = 35 A, TJ = 25°C)
Corriente inversa: 10 μA (VR = 50 V, TJ = 25°C)
Térmicas y Mecánicas
Resistencia térmica (junto a carcaza): 0.25°C/W
Temperatura de operación: -55°C a +150°C
Temperatura de almacenamiento: -55°C a +150°C
Encapsulado: DO-5 (DO-203AB)
Polaridad: Cátodo en base
Aplicaciones
Fuentes de alimentación, sistemas de energía, rectificación de potencia, protección de circuitos y equipos industriales que requieren alta capacidad de sobrecarga y operación confiable en amplios rangos térmicos.
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