🔍 Pasa el cursor para acercarTransistor de Pot, RF, Fet, Canal N, 8 W, 12.5 Vcc
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Características
- Alta ganancia de potencia de 11 dB para amplificación eficiente
- Eficiencia del 55% optimizada para operación a 12.5 Vcc
- Estabilidad térmica superior en operación continua prolongada
- Tolerancia a desadaptación 20:1 VSWR en condiciones extremas
- Diseño SMD en envase plástico RF para integración compacta
- Parámetros de impedancia de señal grande caracterizados en serie
Fichas técnicas
Descripción
El transistor de potencia RF MRF1518T1 es un dispositivo FET de canal N diseñado para aplicaciones comerciales e industriales de banda ancha en frecuencias de hasta 520 MHz. Su alta ganancia de potencia de 11 dB y rendimiento de banda ancha lo hacen ideal para amplificadores de fuente común de gran señal en equipos FM móviles de 12.5 voltios. El dispositivo ofrece excelente estabilidad térmica y capacidad para manejar condiciones de desadaptación severas, garantizando operación confiable en entornos exigentes.
Características Principales
- Transistor FET de canal N con potencia de salida de 8 W
- Frecuencia máxima de operación de 520 MHz
- Alta ganancia de potencia de 11 dB
- Eficiencia del 55% a 12.5 Vcc
- Estabilidad térmica superior para operación continua
- Diseño SMD en envase plástico RF
- Capacidad para manejar 20:1 VSWR @ 15.5 Vcc, 520 MHz, 2 dB de sobremodulación
- Caracterizado con parámetros de impedancia de señal grande equivalente en serie
Especificaciones Técnicas
Aplicaciones Típicas
Amplificadores de fuente común de gran señal, equipos FM móviles de 12.5 V, sistemas de comunicación de banda ancha comercial e industrial, transmisores RF en frecuencias de hasta 520 MHz.
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