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Transistor de RF / FET Canal N / 8 W / 520 MHz / 7.5 Vcc / SMD MRF-1517-T1 SYSCOM PARTS🔍 Pasa el cursor para acercar
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Transistor de RF / FET Canal N / 8 W / 520 MHz / 7.5 Vcc / SMD

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Características

  • Alta ganancia de potencia de 11 dB
  • Eficiencia del 55% en operación RF
  • Operación estable hasta 520 MHz
  • Excelente estabilidad térmica integrada
  • Soporta VSWR 20:1 en condiciones extremas
  • Encapsulado SMD para montaje superficial

Fichas técnicas

En contexto

Está por encima del precio típico de su categoría: 37% de los 1,156 productos de Radiocomunicación con existencia cuesta más que este.

Precio de este producto
$983
Típico en Radiocomunicación
$489
La mayoría cuesta entre
$39$8,539

Comparado contra los 1,156 productos de Radiocomunicación que hoy tienen existencia y precio publicado en Zolven. Precios con IVA incluido; se actualizan con el catálogo.

Descripción

Transistor de RF tipo N de alta potencia diseñado para aplicaciones comerciales e industriales de banda ancha en frecuencias de hasta 520 MHz. La alta ganancia y el rendimiento de banda ancha de este dispositivo lo hacen ideal para amplificadores de fuente común de gran señal en equipos FM portátiles de 7.5 voltios. Ofrece potencia de salida de 8 watts con ganancia de potencia de 11 dB y eficiencia del 55%. Caracterizado con parámetros de impedancia de señal grande equivalente en serie, presenta excelente estabilidad térmica y capacidad para manejar condiciones de VSWR 20:1. Su encapsulado de plástico SMD permite montaje superficial optimizado para producción en serie.

Características principales

  • Transistor RF tipo N de alta potencia
  • Frecuencia máxima de operación: 520 MHz
  • Potencia de salida: 8 W
  • Voltaje de operación: 7.5 Vcc
  • Ganancia de potencia: 11 dB
  • Eficiencia en RF: 55%
  • Diseño SMD para montaje superficial
  • Excelente estabilidad térmica
  • Manejo de VSWR 20:1 @ 9.5 Vcc, 520 MHz, 2 dB de sobremodulación
  • Caracterizado con parámetros de impedancia de señal grande equivalente en serie

Especificaciones técnicas

Tipo de dispositivo
Transistor RF FET Canal N
Frecuencia máxima
520 MHz
Potencia de salida
8 W
Voltaje de operación
7.5 Vcc
Ganancia de potencia
11 dB
Eficiencia RF
55%
Tipo de encapsulado
SMD (montaje superficial)
Manejo VSWR
20:1 @ 9.5 Vcc, 520 MHz, 2 dB sobremodulación
Caracterización
Parámetros de impedancia de señal grande equivalente en serie
Estabilidad
Excelente estabilidad térmica

Aplicaciones típicas

  • Amplificadores de fuente común de gran señal
  • Equipos FM portátiles de 7.5 V
  • Aplicaciones comerciales e industriales de banda ancha
  • Sistemas de comunicación en frecuencias hasta 520 MHz
Envío a todo México
Garantía de fábrica
Factura CFDI
Asesoría real

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