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Transistor MOSFET / 60 V / 35 A / 220 AB / Alta Eficiencia / Baja Resistencia ON IRFZ44PBF-ND SYSCOM PARTS🔍 Pasa el cursor para acercar
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Transistor MOSFET / 60 V / 35 A / 220 AB / Alta Eficiencia / Baja Resistencia ON

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Características

  • Tecnología avanzada para máxima eficiencia energética
  • Resistencia ON reducida minimiza pérdidas térmicas
  • Disipación térmica optimizada para operación continua
  • Diseñado para aplicaciones de alta potencia
  • Corriente de drenaje de 220 A para picos de demanda
  • Construcción robusta para entornos industriales exigentes

Fichas técnicas

En contexto

Está entre las opciones más accesibles de su categoría: 85% de los 1,158 productos de Radiocomunicación con existencia cuesta más que este.

Precio de este producto
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Típico en Radiocomunicación
$489
La mayoría cuesta entre
$39$8,539

Comparado contra los 1,158 productos de Radiocomunicación que hoy tienen existencia y precio publicado en Zolven. Precios con IVA incluido; se actualizan con el catálogo.

Descripción

Transistor MOSFET de Potencia 60 V / 35 A

Este transistor MOSFET está diseñado para aplicaciones que demandan control eficiente de alta corriente en entornos de 60 V. Con una capacidad de corriente de drenaje continua de 35 A y picos de hasta 220 A, ofrece el rendimiento necesario para fuentes de alimentación, inversores, controladores de motores y sistemas de conmutación de potencia. Su arquitectura de baja resistencia en estado ON reduce significativamente las pérdidas por conducción, mientras que su diseño térmico optimizado permite operación sostenida sin degradación de rendimiento.

Características Principales

  • Tecnología de proceso avanzada para máxima eficiencia de conmutación
  • Baja resistencia RDS(ON) que minimiza pérdidas energéticas y calor generado
  • Disipación térmica optimizada para operación continua en cargas elevadas
  • Corriente de drenaje pulsada de 220 A para manejo de picos de demanda
  • Ideal para fuentes conmutadas, inversores, drivers de motor y sistemas de potencia
  • Encapsulado robusto para montaje en aplicaciones industriales

Especificaciones Técnicas

Tipo de Dispositivo
MOSFET Canal N
Voltaje Drenaje-Source (VDSS)
60 V
Corriente Continua (ID)
35 A
Corriente Pulsada (IDM)
220 A
Encapsulado
TO-220AB
Resistencia RDS(ON)
Baja (optimizada)
Tecnología
Proceso avanzado de alta eficiencia
Aplicaciones Típicas
Potencia, conmutación, control de motor

Nota para ingenieros: Verificar las curvas de disipación térmica según el diseño del disipador en la aplicación final. La resistencia térmica juntura-ambiente depende del método de montaje y refrigeración implementado.

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