🔍 Pase el cursor para acercar🔍 Toque para ampliarTransistor MOSFET / Canal P / 50 V / 18 A / 0.14 Ω / 74 W / TO-220AB
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- Montaje through-hole en PCB estándar
- Rango operativo -55°C a 150°C de unión
- Carga de compuerta 39 nC para conmutación eficiente
- Capacitancia de entrada 900 pF controlada
- Voltaje de compuerta ±20 V para protección robusta
- Encapsulado TO-220AB con disipación térmica optimizada
Fichas técnicas
En contexto
Está entre las opciones más accesibles de su categoría: 86% de los 1,554 productos de Herramientas con existencia cuesta más que este.
- Precio de este producto
- $85
- Típico en Herramientas
- $647
- La mayoría cuesta entre
- $61 – $6,138
Comparado contra los 1,554 productos de Herramientas que hoy tienen existencia y precio publicado en Zolven. Precios con IVA incluido; se actualizan con el catálogo.
Descripción
Transistor de potencia MOSFET de canal P diseñado para aplicaciones de conmutación y control en equipos de análisis electrónico. Este dispositivo ofrece una resistencia de encendido ultrabaja de 0.14 Ω que minimiza las pérdidas por conducción, permitiendo operación eficiente con corrientes elevadas hasta 18 A. Su encapsulado TO-220AB facilita la integración en diseños de PCB through-hole con disipación térmica directa, resultando ideal para entornos de laboratorio y equipos de prueba como analizadores de circuitos.
Características principales
- MOSFET canal P con tecnología de óxido metálico
- Voltaje drenaje-fuente (VDSS): 50 V
- Corriente continua de drenaje: 18 A @ 25°C
- Resistencia RDS(on) máxima: 140 mΩ @ 9.3 A, 10 V
- Disipación de potencia máxima: 74 W
- Capacitancia de entrada (Ciss): 900 pF @ 25 V
- Carga de compuerta (Qg): 39 nC @ 10 V
- Voltaje umbral VGS(th): 4 V máx. @ 250 µA
- Voltaje compuerta-fuente máximo: ±20 V
- Rango de temperatura de unión: -55°C ~ 150°C
- Montaje: Through hole, encapsulado TO-220AB
Especificaciones técnicas
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