🔍 Pasa el cursor para acercarTransistor NPN de Alta Frecuencia / 30-500 MHz / 28 Vcc / 10 dB / 125 W / Push-Pull
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Transistor NPN Epitaxial de Silicio / 27 MHz / 12 Vcc / 13 W / Encapsulado T-30E$1,691⚡ inmediato
Transistor NPN Epitaxial / 30 MHz / 13.5 Vcc / 70 W / Encapsulado T-40E$816⚡ inmediato
Transistor Bipolar NPN / 160 MHz / 13.6 Vcc / 40 Watt / VHF$2,440⚡ inmediato
Transistor NPN de Potencia RF / 470 MHz / 6.2 dB Ganancia / 25 W / 16 VCEO / 103 W Disipación$793⚡ inmediato
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- Doble transistor en encapsulado push-pull integrado
- Redes de adaptación de impedancia incorporadas
- Metabolización de oro para mayor confiabilidad
- Operación estable con VSWR 30:1 sin degradación
- Eficiencia del 50-55% en amplificación de RF
- Rango térmico extendido de -65°C a +150°C
Fichas técnicas
En contexto
Está por encima del precio típico de su categoría: 31% de los 1,158 productos de Radiocomunicación con existencia cuesta más que este.
- Precio de este producto
- $1,443
- Típico en Radiocomunicación
- $489
- La mayoría cuesta entre
- $39 – $8,539
Comparado contra los 1,158 productos de Radiocomunicación que hoy tienen existencia y precio publicado en Zolven. Precios con IVA incluido; se actualizan con el catálogo.
Descripción
Transistor NPN de silicio diseñado para aplicaciones de alta frecuencia en el rango de 30 a 500 MHz. Integra dos transistores en configuración push-pull con emisores comunes, optimizando el rendimiento en sistemas de amplificación de RF. Ofrece una potencia de salida de 125 W a 400 MHz con ganancia de 10 dB y eficiencia del 55%, incluyendo redes de adaptación de impedancia integradas que simplifican el diseño de circuitos.
Características Principales
- Transistor NPN de silicio para alta frecuencia
- Rango operativo: 30-500 MHz
- Tensión colector-emisor: 28 Vcc
- Ganancia: 10 dB con eficiencia del 55%
- Potencia de salida: 125 W a 400 MHz
- Doble transistor en encapsulado push-pull
- Configuración de emisores comunes
- Redes de adaptación de impedancia integradas
- Metabolización de oro
- VSWR 30:1 sin degradación
Especificaciones Técnicas
Máximos Permisibles
VCEO: 30 VDC
VCBO: 60 VDC
VEBO: 4.0 VDC
IC: 16 A DC
PD: 270 W (a TC = 25°C)
Derate: 1.54 W/°C
TSTG: -65 a +150 °C
TJ: 200 °C
Características Térmicas
RθJC: 0.65 °C/W
Características Eléctricas
HFE: 40-100 (a IC = 1.0 A DC)
COB: 75-95 pF
Características de Operación
Ganancia: 8-10 dB
Eficiencia: 50-55%
VSWR: 30:1 sin degradación
Impedancia: 20 Ω
Configuración
Dos transistores en un solo encapsulado
Configuración push-pull
Emisores comunes
Redes de adaptación de impedancia integradas
Metabolización de oro
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