SYSCOM
Transistor NPN de Potencia RF, Silicio de 30 MHz, 13.6 Vcc, 4.0 Amp. 10 Watt, TO-220AB.
$758Ahorras 22%
$588 MXN · IVA incluido
Cantidad2 disponibles
¿Es para un proyecto o necesitas volumen? Cotiza por WhatsApp
🚚 Envío a todo México · 🧾 Factura CFDI · 💬 ¿Es para un proyecto? Cotice por WhatsApp y le brindaremos un precio preferencial por volumen.
Características
- Operación hasta 30 MHz para amplificación RF
- Potencia de salida de 10 W con alta eficiencia del 40%
- Ganancia de potencia de 10-12 dB en banda HF
- Paquete TO-220AB con disipación térmica optimizada
- Rango de temperatura operativa -65°C a +150°C
- Configuración emisor común para diseño simplificado
Fichas técnicas
Descripción
Transistor NPN de potencia RF fabricado en silicio, diseñado para aplicaciones de amplificación en alta frecuencia hasta 30 MHz. Ofrece una potencia de salida de 10 W con alta eficiencia energética del 40%, ideal para equipos de comunicación y transmisores en banda HF. Su encapsulado TO-220AB con configuración emisor común facilita la integración en diseños de RF. Soporta corrientes de colector hasta 4.0 A con excelente disipación térmica gracias a su resistencia térmica unión-carcasa de 12.5°C/W.
Características Principales
- Transistor NPN de potencia RF en silicio
- Frecuencia operativa hasta 30 MHz
- Tensión colector-emisor: 13.6 Vcc nominal
- Corriente máxima de colector: 4.0 A
- Potencia de salida: 10 W
- Paquete TO-220AB con configuración emisor común
Especificaciones Técnicas
Máximos Ratings Absolutos
| Corriente de colector (IC) | 4.0 A |
| Tensión colector-emisor (VCE) | 18 V |
| Tensión colector-base (VCB) | 48 V |
| Disipación de potencia (PD) | 10 W @ TC = 25°C |
| Temperatura de almacenamiento (TSTG) | -65°C a +150°C |
| Temperatura de unión (TJ) | -65°C a +150°C |
Características Térmicas
| Resistencia térmica unión-carcasa (θJ-C) | 12.5°C/W |
Características Eléctricas
| BVCEO @ IC = 20 mA | 18 V |
| BVCES @ IC = 50 mA | 48 V |
| BVEBO @ IE = 5.0 mA | 4.0 V |
| ICBO @ VCB = 25 V | 1.0 mA |
| hFE @ VCE = 5.0 V, IC = 500 mA | 30-60 |
| COB @ VCB = 13.6 V, f = 1.0 MHz | 125-145 pF |
| Ganancia de potencia (GP) | 10-12 dB |
| Eficiencia (η) @ POUT = 12 W PEP, VCC = 13.6 V, f = 2.0 MHz, ICQ = 300 mA | 40% |
| Distorsión de intermodulación (IMD) | -30 dB |
Configuración Física
| Paquete | TO-220AB (Common Emitter) |
| Pin 1 | Base |
| Pin 2 | Colector |
| Pin 3 | Emisor |
| Tab (aleta de disipación) | Colector |
Envío a todo México
Garantía de fábrica
Factura CFDI
Asesoría real
También le puede interesar
-31%



TELOX
-54%Radio PoC 4G LTE TELOX TE320 / Audio 3W con Cancelación de Ruido / IP67 Resistente a Agua y Polvo / Batería 4000 mAh (48 hrs) / Doble SIM LTE Global / Pantalla 2" / Compatible TASSTA y NXRadio
$3,503$5,052✓ 521 disponibles
EPCOM TITANIUM
-33%Conector BNC Macho de Ensamble Roscable (Hex.) en Sentido de las Manecillas de Reloj para Cable Coaxial RG-59/U, Níquel/ Oro/ Delrin.
$6$13✓ 506 disponiblesRUGGEAR
-36%RugGear Radio PoC LTE, IP68 Resistente al Agua, Pantalla Táctil 3", Compatible con NXRadio y TASSTA
$4,574$6,861✓ 504 disponiblesTELOX