🔍 Pasa el cursor para acercarTransistor NPN RF / 175 MHz / 100 W / 12.5 Vcc / Alta Eficiencia / VHF-FM
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Visite nuestra tienda en Mercado Libre →Características
- Operación estable en banda VHF hasta 175 MHz para transmisores FM
- Potencia de salida de 100 W con ganancia de 6.0 dB en RF
- Impedancia optimizada: entrada 1.5-j0.9 Ω y carga 0.5-j1.0 Ω
- Disipación térmica de 270 W con resistencia térmica de 0.65 °C/W
- Voltajes de ruptura elevados: VCB 36 V, VCE 18 V, VEB 4.0 V
- Corriente de colector de 20 A para amplificadores de potencia RF
Fichas técnicas
En contexto
Está en la gama alta de su categoría: 16% de los 1,156 productos de Radiocomunicación con existencia cuesta más que este.
- Precio de este producto
- $4,731
- Típico en Radiocomunicación
- $489
- La mayoría cuesta entre
- $39 – $8,539
Comparado contra los 1,156 productos de Radiocomunicación que hoy tienen existencia y precio publicado en Zolven. Precios con IVA incluido; se actualizan con el catálogo.
Descripción
Transistor NPN de silicio diseñado para aplicaciones de radiofrecuencia en la banda VHF, con operación optimizada hasta 175 MHz. Proporciona una potencia de salida de 100 W con una relación de ganancia de 6.0 dB, ideal para transmisores FM y amplificadores de potencia RF. Su arquitectura de alta eficiencia energética y características térmicas controladas permiten operación sostenida en condiciones de alta demanda. Las impedancias de entrada y carga están especificadas para facilitar el diseño de redes de adaptación en circuitos de RF profesionales.
Características Generales
- Transistor NPN de silicio para aplicaciones RF
- Frecuencia operativa de hasta 175 MHz
- Potencia de salida máxima de 100 W
- Voltaje de colector de 12.5 Vcc
- Diseño robusto para alta eficiencia energética
- Aplicaciones: sistemas de comunicación VHF, transmisores FM, amplificadores de potencia RF
Especificaciones RF
- Frecuencia: 175 MHz
- Potencia de salida: 100 W
- Relación de ganancia: 6.0 dB
- Impedancia entrada: 1.5 - j0.9 Ω
- Impedancia carga: 0.5 - j1.0 Ω
Especificaciones Eléctricas
- Voltaje colector-base (VCBO): 36 V
- Voltaje colector-emisor (VCEO): 18 V
- Voltaje emisor-base (VEBO): 4.0 V
- Corriente de colector (IC): 20 A
- Disipación de potencia: 270 W
Especificaciones Térmicas
- Resistencia térmica (junto-case, RθJC): 0.65 °C/W
- Temperatura de almacenamiento: -65 a +200 °C
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