🔍 Pasa el cursor para acercarTransistor RF de Potencia NPN / 30 MHz / 13.6 Vcc / 4.0 A / 10 W / TO-220AB
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Transistor NPN de Potencia RF / 470 MHz / 6.2 dB Ganancia / 25 W / 16 VCEO / 103 W Disipación$793⚡ inmediato
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Visite nuestra tienda en Mercado Libre →Características
- Operación hasta 30 MHz para amplificación RF
- Potencia de salida de 10 W con alta eficiencia del 40%
- Ganancia de potencia de 10-12 dB en banda HF
- Paquete TO-220AB con disipación térmica optimizada
- Rango de temperatura operativa -65°C a +150°C
- Configuración emisor común para diseño simplificado
Fichas técnicas
En contexto
Está por encima del precio típico de su categoría: 47% de los 1,157 productos de Radiocomunicación con existencia cuesta más que este.
- Precio de este producto
- $573
- Típico en Radiocomunicación
- $489
- La mayoría cuesta entre
- $39 – $8,539
Comparado contra los 1,157 productos de Radiocomunicación que hoy tienen existencia y precio publicado en Zolven. Precios con IVA incluido; se actualizan con el catálogo.
Descripción
Transistor NPN de potencia RF fabricado en silicio, diseñado para aplicaciones de amplificación en alta frecuencia hasta 30 MHz. Ofrece una potencia de salida de 10 W con alta eficiencia energética del 40%, ideal para equipos de comunicación y transmisores en banda HF. Su encapsulado TO-220AB con configuración emisor común facilita la integración en diseños de RF. Soporta corrientes de colector hasta 4.0 A con excelente disipación térmica gracias a su resistencia térmica unión-carcasa de 12.5°C/W.
Características Principales
- Transistor NPN de potencia RF en silicio
- Frecuencia operativa hasta 30 MHz
- Tensión colector-emisor: 13.6 Vcc nominal
- Corriente máxima de colector: 4.0 A
- Potencia de salida: 10 W
- Paquete TO-220AB con configuración emisor común
Especificaciones Técnicas
Máximos Ratings Absolutos
| Corriente de colector (IC) | 4.0 A |
| Tensión colector-emisor (VCE) | 18 V |
| Tensión colector-base (VCB) | 48 V |
| Disipación de potencia (PD) | 10 W @ TC = 25°C |
| Temperatura de almacenamiento (TSTG) | -65°C a +150°C |
| Temperatura de unión (TJ) | -65°C a +150°C |
Características Térmicas
| Resistencia térmica unión-carcasa (θJ-C) | 12.5°C/W |
Características Eléctricas
| BVCEO @ IC = 20 mA | 18 V |
| BVCES @ IC = 50 mA | 48 V |
| BVEBO @ IE = 5.0 mA | 4.0 V |
| ICBO @ VCB = 25 V | 1.0 mA |
| hFE @ VCE = 5.0 V, IC = 500 mA | 30-60 |
| COB @ VCB = 13.6 V, f = 1.0 MHz | 125-145 pF |
| Ganancia de potencia (GP) | 10-12 dB |
| Eficiencia (η) @ POUT = 12 W PEP, VCC = 13.6 V, f = 2.0 MHz, ICQ = 300 mA | 40% |
| Distorsión de intermodulación (IMD) | -30 dB |
Configuración Física
| Paquete | TO-220AB (Common Emitter) |
| Pin 1 | Base |
| Pin 2 | Colector |
| Pin 3 | Emisor |
| Tab (aleta de disipación) | Colector |
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